SQ4184EY-T1_GE3ICSQ汽车级功率MOSFET_深圳市芯镁瑞电子有限公司

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卖家积分： 2001分-3000分

营业执照：已审核

经营模式：贸易/代理/分销

所在地区：广东深圳

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SQ4184EY-T1_GE3ICSQ汽车级功率MOSFET

型号/规格：

SQ4184EY-T1_GE3

品牌/商标：

VISHAY/威世

封装：

SOP8

批号：

22+

数量：

2500/包

安装风格：

SMD/SMT

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询价

产品信息

SQ4184EY-T1_GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
SQ4184EY-T1_GE3IC安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 29 A
SQ4184EY-T1_GE3

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 110 nC
zui小工作温度: - 55 C
zui大工作温度: %2B 175 C
Pd-功率耗散: 7.1 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: TrenchFET
SQ4184EY-T1_GE3

封装: Reel

封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - zui小值: 78 S
高度: 1.75 mm
长度: 4.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
SQ4184EY-T1_GE3

系列: SQ

工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 43 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
宽度: 3.9 mm
单位重量: 187 mg

我们公司是一家做集成电路（IC）独立分销商，主营:WINBOND,XINLIN,ADI,TI,ST，并为客户提供一站式的服务.
主要业务:
1:　提供大量的原装现货库存,为客户提供产品的配单；
2:　支持小批量订购，国外现货5-7天到深圳；
3:　为客户助寻偏门.冷门.紧缺.及停产器件,

服务领域:
公司关注高端产品路线，产品广泛应用于通讯网络、航空航天、军事设备、医疗机械、精密仪器、工控等领域

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优势库存(1000)

普通库存(80000)

集成电路(IC)(31)

电源IC(2)

连接器/接插件(1)

其他未分类(4)

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