深圳市芯镁瑞电子有限公司

包装 卷带（TR）剪切带（CT）
产品状态 在售  
FET 类型 P 通道  
技术 MOSFET（金属氧化物）  
漏源电压（Vdss） 100 V  
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.6A（Ta）  
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） 6V，10V  
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） 150 毫欧 @ 2.8A，10V  
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） 4V @ 250?A  
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） 26.9 nC @ 10 V  
Vgs（zui大值） ?20V  
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） 1055 pF @ 50 V  
FET 功能 -  
功率耗散（zui大值） 2W（Ta）  
工作温度 -55?C ~ 150?C（TJ）  
安装类型 表面贴装型  
供应商器件封装 SOT-223-3  
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA  
基本产品编号 ZXMP10 

制造商: Diodes Incorporated  

产品种类: MOSFET  
技术: Si  
ZXMP10A18GTA安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: SOT-223-4  
晶体管极性: P-Channel  
通道数量: 1 Channel  
Vds-漏源极击穿电压: 100 V  
Id-连续漏极电流: 3.7 A  
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms  
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  
Qg-栅极电荷: 26.9 nC  
工作温度: - 55 C  
工作温度: %2B 150 C  
Pd-功率耗散: 3.9 W  
通道模式: Enhancement  
系列: ZXMP10A  
ZXMP10A18GTA封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: Diodes Incorporated  
配置: Single  
下降时间: 17.9 ns  
正向跨导 - 值: 6 S  
高度: 1.65 mm  
长度: 6.7 mm  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 6.8 ns  
ZXMP10A18GTA工厂包装数量: 1000  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: 1 P-Channel  
典型关闭延迟时间: 33.9 ns  
典型接通延迟时间: 4.6 ns  
宽度: 3.7 mm  
ZXMP10A18GTA单位重量: 112 mg 
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